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高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪

摘要

本发明提供一种高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪,其特征包括:3V直流电源、反馈式直流逆变电路、升压整流滤波电路、测试接口和万用表接口电路;所述的反馈式直流逆变电路由NPN型晶体管VT1、高频变压器T的初级线圈L1和初级线圈L2、电阻R1及电位器RP组成;所述的升压整流及滤波电路由高频变压器T的升压线圈L3、快恢复二极管Dl、高压瓷片电容C2和限流电阻R2组成;所述的晶体管测试接口和万用表接口电路由4个接线柱TX1~TX4、500型万用表组成。本发明所述的高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪配合500型万用表可测量电压高达1200V,能够满足测量高反压硅晶体管反向击穿电压的技术要求。

著录项

  • 公开/公告号CN103412248A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-11-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 黄月华;

    申请/专利号CN201310374286.5

  • 发明设计人 黄月华;

    申请日2013-08-26

  • 分类号G01R31/14;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 233000 安徽省蚌埠市经济开发区奋勇街146号(黄山茶庄南首)

  • 入库时间 2024-02-19 20:52:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-03-30

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01R31/14 申请公布日:20131127 申请日:20130826

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2013-12-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R31/14 申请日:20130826

    实质审查的生效

  • 2013-11-27

    公开

    公开

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