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高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪

摘要

本实用新型提供一种高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪,其特征包括:3V直流电源、反馈式直流逆变电路、升压整流滤波电路、测试接口和万用表接口电路;所述的反馈式直流逆变电路由NPN型晶体管VT1、高频变压器T的初级线圈L1和初级线圈L2、电阻R1及电位器RP组成;所述的升压整流及滤波电路由高频变压器T的升压线圈L3、快恢复二极管Dl、高压瓷片电容C2和限流电阻R2组成;所述的晶体管测试接口和万用表接口电路由4个接线柱TX1~TX4、500型万用表组成。本实用新型所述的高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪配合500型万用表可测量电压高达1200V,能够满足测量高反压硅晶体管反向击穿电压的技术要求。

著录项

  • 公开/公告号CN203376441U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2014-01-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 黄月华;

    申请/专利号CN201320521643.1

  • 发明设计人 黄月华;

    申请日2013-08-26

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 233000 安徽省蚌埠市经济开发区奋勇街146号(黄山茶庄南首)

  • 入库时间 2022-08-21 23:59:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-10-28

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01R31/14 授权公告日:20140101 终止日期:20140826 申请日:20130826

    专利权的终止

  • 2014-01-01

    授权

    授权

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