法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-12-14
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/66 授权公告日:20040818 终止日期:20100930 申请日:20010930
专利权的终止
2004-08-18
授权
授权
2002-04-17
公开
公开
2002-02-20
实质审查的生效
实质审查的生效
机译: 单晶基质,带晶膜的单晶基质,晶膜,用晶膜制造单晶基质的方法,制造晶基基质的方法以及元素制造方法
机译: 异相单晶的制备方法,异晶单晶电池的制造方法,异晶单晶,异晶单晶电池
机译: 硅晶圆的氩气/氨气快速热退火工艺,从而制造了硅晶圆,并制造了用于制造单晶硅锭的热拉斯基拉管。