公开/公告号CN113906171A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-07
原文格式PDF
申请/专利权人 信越半导体株式会社;
申请/专利号CN202080028464.7
申请日2020-02-05
分类号C30B33/02(20060101);H01L21/322(20060101);C30B29/06(20060101);
代理机构11002 北京路浩知识产权代理有限公司;
代理人张晶;谢顺星
地址 日本东京都
入库时间 2023-06-19 13:33:57
机译: 硅晶圆的氩气/氨气快速热退火工艺,从而制造了硅晶圆,并制造了用于制造单晶硅锭的热拉斯基拉管。
机译: 硅晶圆硅单晶的评价方法及制造方法
机译: 大面积单晶硅晶圆的制造方法