公开/公告号CN1161822C
专利类型发明授权
公开/公告日2004-08-11
原文格式PDF
申请/专利权人 现代电子产业株式会社;
申请/专利号CN99124899.6
申请日1999-11-26
分类号H01L21/28;
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人陶凤波
地址 韩国京畿道
入库时间 2022-08-23 08:57:03
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-01-07
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/28 授权公告日:20040811 终止日期:20131126 申请日:19991126
专利权的终止
2004-08-11
授权
授权
2001-09-26
实质审查的生效
实质审查的生效
2000-06-07
公开
公开
机译: 导电线,形成导电线的方法以及减少在多晶硅晶体管栅极线上制造硅化钛的过程中的硅化钛结块的方法
机译: 导电线,形成导电线的方法以及减少在多晶硅晶体管栅极线上制造硅化钛的过程中的硅化钛结块的方法
机译: 集成电路中晶体管栅极电阻的调节包括暴露初始栅极的多晶硅,通过选择性外延沉积多晶硅层形成栅极延伸以及硅化栅极延伸