公开/公告号CN1159774C
专利类型发明授权
公开/公告日2004-07-28
原文格式PDF
申请/专利权人 晶元光电股份有限公司;
申请/专利号CN00132397.0
申请日2000-11-10
分类号H01L33/00;
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人黄敏
地址 台湾省新竹市
入库时间 2022-08-23 08:57:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2004-07-28
授权
授权
2002-06-12
公开
公开
2001-03-07
实质审查请求的生效
实质审查请求的生效
机译: 具有氧化镁隧穿势垒层和具有插入层的自由层的隧穿磁阻(TMR)器件
机译: 具有氧化镁隧穿势垒层和具有插入层的自由层的隧穿磁阻(tmr)器件
机译: 具有氧化镁隧穿势垒层和具有插入层的自由层的隧穿磁阻(TMR)器件