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具有反向隧穿层的发光二极管

摘要

具有反向隧穿层的发光二极管包含半导体叠层,具有第一主表面与第二主表面的发光层、具有第一导电性且结合在该第一主表面的第一半导体层、及具有第二导电性且结合于该第二主表面的一第二半导体层,该发光层、该第一半导体层、及该第二半导体层共同形成第一方向的极性;n+型反向隧穿层,具有第一导电性且形成在该半导体层叠层上,其与该半导体层叠层间所形成的p-n接面具有第二方向的极性,且该第一方向与该第二方向是相反方向;以及透明导电层,形成在该n+型反向隧穿层上。

著录项

  • 公开/公告号CN1159774C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2004-07-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 晶元光电股份有限公司;

    申请/专利号CN00132397.0

  • 发明设计人 欧震;黄兆年;章绢明;

    申请日2000-11-10

  • 分类号H01L33/00;

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人黄敏

  • 地址 台湾省新竹市

  • 入库时间 2022-08-23 08:57:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2004-07-28

    授权

    授权

  • 2002-06-12

    公开

    公开

  • 2001-03-07

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

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