具有Au/MoO3空穴注入层的有机发光二极管

摘要

研究了单层MoO3(5 nm)和复合Au(4 nm)/MoO3(5 nm)HILs对OLEDs器件性能的影响,器件结构为ITO/HIL/NPB(40 nm)/Alq3 (60 nm)/LiF (1 nm)/Al (100 nm).与单层MoO3 HIL的器件相比,具有复合Au/MoO3 HIL的器件具有较大的电流和亮度.这是由于Au的功函数介于ITO和MoO3之间,导致Au的引入提高了空穴的注入效率.