一种具有共振隧穿结构电子阻挡层的发光二极管

摘要

本发明公开了一种具有共振隧穿结构电子阻挡层的发光二极管，包括：由下而上依次设置的衬底、n型氮化物层、多量子阱层、电子阻挡层、p型氮化物层、p型氮化物欧姆接触层，所述n型氮化物层上设置的n型电极和所述p型氮化物层上设置的p型电极；其中电子阻挡层由由下而上依次设置的p型掺杂氮化物势垒层，非掺杂氮化物势阱层、利用共振隧穿效应增大空穴透过率的非掺杂势垒层联合构成。本发明的有益效果为：可以有效地阻挡电子穿过有源区进入p型区，又可以增大空穴穿过电子阻挡层注入有源区的效率；可利用较简单的生长方式和较少的层结构就能达到很好的电子阻挡效果，同时获得明显高于传统电子阻挡层结构的空穴注入效率。