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小型扭曲模音叉晶片的抛光方法

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摘要

本发明公开了小型扭曲模音叉晶片的抛光方法，它包括音叉晶片表面腐蚀步骤和深层次清洁处理步骤，本发明相较传统的清洗腐蚀方法本发明的有益效果是抛光后光洁度为9-9.5级，相较传统抛光后的光洁度明显提升，晶片表面腐蚀均匀，损伤小，晶片表面平整、光亮，很大程度上提高了晶体动态振动时的长期稳定性和可靠性。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-05-31

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B24B 31/02 授权公告日:20150520 终止日期:20160418 申请日:20130418

专利权的终止
2015-05-20

授权

授权
2013-08-28

实质审查的生效 IPC(主分类):B24B 31/02 申请日:20130418

实质审查的生效
2013-07-10

公开

公开

1. 小型扭曲模音叉晶片的抛光方法 [P] . 中国专利： CN103192313B . 2015.05.20
2. 小型扭曲模音叉晶片 [P] . 中国专利： CN203166850U . 2013.08.28
3. Production manner of tuning fork die crookedness crystal vibrating component wafer and tuning fork die crookedness crystal vibrating component wafer and production manner of tuning fork die crookedness crystal vibrating component. [P] . 日本专利： JP5451427B2 . 2014-03-26

机译：音叉模弯曲晶体振动元件晶片和音叉模弯曲晶体振动元件晶片的生产方式以及音叉模弯曲晶体振动元件晶片的生产方式。
4. The vibrating reed formation process which forms multiple tuning fork die vibrating reeds on the wafer making use of the tuning fork die vibrator null photolithography [P] . 日本专利： JP4039230B2 . 2008-01-30

机译：利用音叉模振子零光刻技术在晶片上形成多个音叉模振片的振动片形成工艺
5. The crystal wafer which has the tuning fork die crystal piece which is quarried out [P] . 日本专利： JP4730827B2 . 2011-07-20

机译：带有挖出的音叉模晶体片的晶体晶片