用于高压半导体功率器件的边缘终接的新型及改良型结构

摘要

本发明提供了一种设置在半导体衬底中的半导体功率器件，并且具有一个有源元件区和一个边缘终接区，其中边缘终接区包括一个用场拥挤衰减填充物填充的宽沟槽，以及一个掩埋在半导体衬底顶面下方的掩埋场板，并且所述的掩埋场板还在场拥挤场的顶部上方横向延伸，以便使峰值电场横向远离有源元件区。在一个特定实施例中，场拥挤衰减填充物包括填充在宽沟槽中的氧化硅。