新型理想功率半导体器件的研制构想-无CB功率BJT

摘要

该文是基于笔者从双极晶全管ＢＪＴ集电极电流特性理论研究中得出的以通称二次击穿Ｓ／Ｂ现象为观表征的电流击穿Ｃ／Ｂ理论而提出的“无Ｃ／Ｂ功率ＢＪＴ”的研制构想，意在发布信息并进而促成协作开发。文中对Ｓ／Ｂ机理解释做了述评，概述了Ｃ／Ｂ理论和由此得出的新理论发现，论证指出充分利用或者有效抑制Ｃ／Ｂ是功率半导体器件开拓发展的共性前提，进而提出了研制一类新型“无Ｃ／Ｂ功率ＢＪＴ”器件的理论构想，还介绍了与此研制相关的几项具体技术，最后预示出此类堪称理想功率半导体器件所能拥有的全优性能。