采用多孔SOI硅硅键合的MEMS硅麦克风及其制造方法

摘要

本发明为一种采用多孔SOI硅硅键合的MEMS硅麦克风及其制造方法，包括多孔背极板硅基及位于所述多孔背极板硅基上方的单晶硅振膜，其特征在于：所述的多孔背极板硅基和单晶硅振膜作为麦克风电容的两极板，经过硅硅键合工艺键合成一体。多孔背极板硅基上设有背极板金属电极、声孔和背腔，单晶硅振膜上设有金属电极和小凸柱，振膜金属电极和背极板电极分别为麦克风电容两极板的输出信号引出端，用来与CMOS信号放大电路实现电连接；单晶硅振膜由氧化硅层支撑悬于多孔背极板硅基的上方，单晶硅振膜和多孔背极板硅基之间设有气隙，多孔背极板硅基、单晶硅振膜和气隙形成电容结构。本发明工艺简单，产品灵敏度高、一致性好且生产良率高。