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用于增强模式和耗尽模式宽带隙半导体JFET的栅驱动器

摘要

本发明提供一种用于驱动结型场效应晶体管(JFET)的DC耦合的双极栅驱动器电路。JFET可以是诸如SiC JFET的宽带隙结型场效应晶体管(JFET)。驱动器包括第一导通电路、第二导通电路和下拉电路。驱动器被配置为接收输入的脉宽调制(PWM)控制信号并生成用于驱动JFET的栅极的输出驱动器信号。

著录项

  • 公开/公告号CN102422537B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-11-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 PI公司;

    申请/专利号CN201080020555.2

  • 发明设计人 R·L·凯利;F·雷斯;

    申请日2010-05-11

  • 分类号

  • 代理机构北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人李辉

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:22:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-06-30

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H03K 17/687 授权公告日:20141126 终止日期:20160511 申请日:20100511

    专利权的终止

  • 2014-11-26

    授权

    授权

  • 2013-11-13

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H03K 17/687 变更前: 变更后: 登记生效日:20131021 申请日:20100511

    专利申请权、专利权的转移

  • 2012-05-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03K 17/687 申请日:20100511

    实质审查的生效

  • 2012-04-18

    公开

    公开

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