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GATE DRIVER FOR ENHANCEMENT-MODE AND DEPLETION-MODE WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR JFETS

机译:用于增强型和耗尽型宽带隙半导体JFET的栅极驱动器

摘要

A DC-coupled two-stage gate driver circuit for driving a junction field effect transistor (JFET) is provided. The JFET can be a wide bandgap junction field effect transistor (JFET) such as a SiC JFET. The driver includes a first turn-on circuit, a second turn-on circuit and a pull-down circuit. The driver is configured to accept an input pulse-width modulation (PWM) control signal and generate an output driver signal for driving the gate of the JFET.
机译:提供了一种用于驱动结型场效应晶体管(JFET)的DC耦合的两级栅极驱动器电路。 JFET可以是宽带隙结型场效应晶体管(JFET),例如SiC JFET。该驱动器包括第一接通电路,第二接通电路和下拉电路。该驱动器被配置为接受输入脉冲宽度调制(PWM)控制信号并生成用于驱动JFET栅极的输出驱动器信号。

著录项

  • 公开/公告号EP2430755A2

    专利类型

  • 公开/公告日2012-03-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SS SC IP LLC;

    申请/专利号EP20100775410

  • 发明设计人 KELLEY ROBIN LYNN;REES FENTON;

    申请日2010-05-11

  • 分类号H03K17/687;H03K7/08;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 17:13:11

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