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包括光学校正布置的用于半导体光刻的投射曝光设备

摘要

本发明涉及一种光学校正布置,包括:至少一个光学元件(2);至少一个辐射装置,其利用用于目标性地局部加热所述光学元件(2)的电磁加热辐射(7),目标性地局部辐射所述光学元件(2),其中,存在用于消散由所述至少一个辐射装置引入到所述光学元件(2)中的热能的装置。本发明还涉及一种用于半导体光刻的投射曝光设备,包括根据本发明的光学校正布置。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-11-05

    授权

    授权

  • 2012-06-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/20 申请日:20090516

    实质审查的生效

  • 2012-04-25

    公开

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