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用于微机电系统器件的圆片级三维封装方法

摘要

本发明公开了一种用于微机电系统器件的圆片级三维封装方法,该方法包括:制作盖片;以及将制作的盖片与器件芯片进行圆片级键合。本发明提出利用电磁力将微纳尺度的金属线导入微孔中来实现高质量可靠的三维电学连接,损耗低,寄生效应小;采用局域加热技术只对键合区域进行加热,不仅能实现高键合强度和高气密性,而且保证器件区在整个键合过程中处于较低温度,器件性能不受键合温度影响。圆片级封装保证了封装的低成本。这一方法为MEMS器件,特别是射频MEMS器件,提供了高质量的低成本三维封装方法。

著录项

  • 公开/公告号CN102363520B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-04-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN201110346268.7

  • 发明设计人 郑海洋;杨晋玲;杨富华;

    申请日2011-11-04

  • 分类号

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人周国城

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2022-08-23 09:18:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-04-09

    授权

    授权

  • 2012-04-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):B81C 1/00 申请日:20111104

    实质审查的生效

  • 2012-02-29

    公开

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