首页> 中国专利> 非易失性电荷捕获型存储器件、其制备方法及应用

非易失性电荷捕获型存储器件、其制备方法及应用

页面导航

摘要

本发明涉及非易失性电荷捕获型存储器件、其制备方法及应用，制备方法操作简单、易于控制，所得存储器件中作为存储介质的纳米微晶分布均匀。所述非易失性电荷捕获型存储器件的制备方法包括以下步骤：a)在衬底表面形成隧穿层；b)在隧穿层上形成组成均匀的(ZrO

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-06-15

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/334 授权公告日:20130828 终止日期:20150422 申请日:20110422

专利权的终止
2013-08-28

授权

授权
2011-11-23

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/334 申请日:20110422

实质审查的生效
2011-10-05

公开

公开

1. 非易失性电荷捕获型存储器件、其制备方法及应用 [P] . 中国专利： CN102208346B . 2013.08.28
2. 一种存储材料及其在非易失性电荷俘获型存储器件中的应用 [P] . 中国专利： CN103426920B . 2016.05.11
3. Charge trapping non-volatile memory device and method of fabricating the same and method of operating the charge trapping non-volatile memory device [P] . KR102300122B1 . 2021-09-09

机译：电荷捕获非易失性存储器件和制造相同的方法和操作电荷捕获非易失性存储器件的方法
4. Methods of Forming Charge-Trap Type Non-Volatile Memory Devices [P] . 美国专利： US2010221886A1 . 2010-09-02

机译：形成电荷捕获型非易失性存储器件的方法
5. Charge trapping layer, method of forming the charge trapping layer, non-volatile memory device using the same and method of fabricating the non-volatile memory device [P] . 美国专利： US2010276747A1 . 2010-11-04

机译：电荷俘获层，形成电荷俘获层的方法，使用该电荷俘获层的非易失性存储器件以及制造该非易失性存储器件的方法