具有悬空源漏的隧穿场效应晶体管结构及其形成方法

摘要

本发明提出一种具有悬空源漏的隧穿场效应晶体管结构，包括：衬底；形成在所述衬底之上的多个凸起结构，其中，每两个凸起结构之间具有一定间隙；形成在所述每两个凸起结构之间，且与所述两个凸起结构顶部相连的悬空层，其中，所述凸起结构顶部的悬空层区域为沟道区，所述凸起结构两侧的悬空层区域分别为导电类型相反的源区和漏区；和形成在所述沟道区顶部的栅堆叠。根据本发明实施例的隧穿场效应晶体管，通过采用悬空的源漏结构可以有效地减小晶体管的源漏电容，提高器件的工作速度，并减少源漏和衬底之间的关态漏电。