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机译:在绝缘体上绝缘子上制造具有不对称金属源极/漏极的Ge场效应晶体管:肖特基隧穿源极模式操作和常规模式操作
Kyushu Univ, Interdisciplinary Grad Sch Engn Sci, Kasuga, Fukuoka 8168580, Japan;
Kyushu Univ, Interdisciplinary Grad Sch Engn Sci, Kasuga, Fukuoka 8168580, Japan;
Kyushu Univ, Interdisciplinary Grad Sch Engn Sci, Kasuga, Fukuoka 8168580, Japan;
Kyushu Univ, Global Innovat Ctr, Kasuga, Fukuoka 8168580, Japan;
Chinese Acad Sci, State Key Lab Funct Mat Informat, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, 865 Changning Rd, Shanghai 200050, Peoples R China;
Chinese Acad Sci, State Key Lab Funct Mat Informat, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, 865 Changning Rd, Shanghai 200050, Peoples R China;
Chinese Acad Sci, State Key Lab Funct Mat Informat, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, 865 Changning Rd, Shanghai 200050, Peoples R China;
机译:带有肖特基势垒源极和漏极的n沟道GaN金属-绝缘体-半导体场效应晶体管的增强模式操作和紫外响应
机译:低温分子束外延制造的超薄绝缘体上的Ge绝缘体金属源极/漏极P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:双栅肖特基源极/漏极绝缘体上硅氧化物金属氧化物半导体场效应晶体管的阈值电压分析模型
机译:具有肖特基势垒和带间隧穿的掺杂剂隔离金属源隧道场效应晶体管
机译:后收缩肖特基源极金属氧化物半导体场效应晶体管。
机译:顶部栅极石墨烯场效应晶体管中金属石墨烯触点的栅极控制肖特基势垒降低的物理模型
机译:在具有Au源/漏电极的聚乙烯醇涂层Ta2O5栅极电介质上制造并五苯场效应晶体管的双极性操作的起源
机译:Inp n沟道增强模式金属 - 绝缘体 - 半导体场效应晶体管的阈值电压漂移。