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Silicon Nanoelectronics Workshop
Silicon Nanoelectronics Workshop
召开年:
2017
召开地:
Kyoto(JP)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Integrated III-V nanoelectronic devices on Si
机译:
Si上集成的III-V纳米电子器件
作者:
Heike Riel
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Silicon;
TFETs;
Nanowires;
MOSFET;
III-V semiconductor materials;
Nanoscale devices;
2.
The guideline on designing face-tunneling FET for large-scale-device applications in IoT
机译:
为物联网中的大型设备应用设计面部隧道FET的指南
作者:
E. R. Hsieh
;
J. W. Lee
;
M. H. Lee
;
Steve S. Chung
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Tunneling;
TFETs;
Logic gates;
Face;
Ions;
Temperature dependence;
Temperature measurement;
3.
Co-dopants induced tunnel-current enhancement and their interaction in silicon nano tunnel diode
机译:
硅纳米隧道二极管中共掺杂物诱导的隧道电流增强及其相互作用
作者:
Manoharan Muruganathan
;
Daniel Moraru
;
Michiharu Tabe
;
Hiroshi Mizuta
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Tunneling;
Silicon;
Junctions;
Temperature measurement;
Doping profiles;
Temperature;
4.
Negative capacitance tunnel F£Ts: Experimental demonstration of outstanding simultaneous boosting of on-current, transconductance, overdrive, and swing
机译:
负电容隧道F£Ts:出色的同时提升导通电流,跨导,过驱动和摆幅的实验演示
作者:
A. Saeidi
;
F. Jazaeri
;
I. Stolichnov
;
G. V. Luong
;
Q. T. Zhao
;
S. Manti
;
Adrian M. Ionescu
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
TFETs;
Logic gates;
Boosting;
Capacitance;
Performance evaluation;
Capacitors;
Switches;
5.
A study on W vacancy defect in mono-layer transition-metal dichalcogenide (TMD) TFETs through systematic ab initio calculations
机译:
通过系统的从头算计算研究单层过渡金属二卤化二锡(TMD)TFET中的W空位缺陷
作者:
Jixuan Wu
;
Zhiqiang Fan
;
Jiezhi Chen
;
Xiangwei Jiang
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
TFETs;
Performance evaluation;
Tunneling;
Junctions;
Robustness;
Geometry;
6.
High performance Ge pMOSFETs with simultaneous mobility-412 cm
机译:
具有412 cm迁移率的高性能Ge pMOSFET
作者:
Shih-Han Yi
;
Jiayi Huang
;
Chia-Wei Hsu
;
Tzung-Yu Wu
;
Dun-Bao Ruan
;
Kuei-Shu Chang-Liao
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
MOSFET;
Logic gates;
Hafnium;
Capacitance-voltage characteristics;
Benchmark testing;
Phonons;
Scattering;
7.
Carrier-separated equivalent circuit modeling for steep subthreshold slope PN-body tied SOI FET
机译:
陡峭亚阈值斜率PN体约束SOI FET的载波分离等效电路建模
作者:
Daiki Ueda
;
Kiyoshi Takeuchi
;
Masaharu Kobayashi
;
Toshiro Hiramoto
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Integrated circuit modeling;
Human computer interaction;
Equivalent circuits;
Inverters;
Logic gates;
Switches;
Field effect transistors;
8.
Investigations on dynamic characteristics of ferroelectric Hf0
机译:
铁电体Hf0的动力学特性研究
作者:
Kyungmin Jang
;
Nozomu Ueyama
;
Masaharu Kobayashi
;
Toshiro Hiramoto
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Mathematical model;
Integrated circuit modeling;
Hafnium oxide;
Simulation;
Semiconductor device modeling;
Capacitors;
Analytical models;
9.
Investigations on dynamic characteristics of ferroelectric Hf0
机译:
铁电体Hf0的动力学特性研究
作者:
Kvungmin Jang
;
Nozomu Ueyama
;
Masaharu Kobayashi
;
Toshiro Hiramoto
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Mathematical model;
Integrated circuit modeling;
Hafnium oxide;
Simulation;
Semiconductor device modeling;
Capacitors;
Analytical models;
10.
Uniformity improvement of SiNjc-based resistive switching memory by suppressed internal overshoot current
机译:
通过抑制内部过冲电流来提高基于SiNjc的电阻式开关存储器的一致性
作者:
Min-Hwi Kim
;
Sungjun Kim
;
Suhyun Bang
;
Tae-Hyeon Kim
;
Dong Keun Lee
;
Seongjae Cho
;
Jong-Ho Lee
;
Byung-Gook Park
会议名称:
《》
|
2017年
关键词:
Switches;
Current measurement;
Resistance;
Equivalent circuits;
Electrical resistance measurement;
Voltage measurement;
Transient analysis;
11.
Ultimate single electronics with silicon nanowire MOSFETs
机译:
具有硅纳米线MOSFET的终极单个电子产品
作者:
Akira Fujiwara
;
Katsuhiko Nishiguchi
;
Gento Yamahata
;
Kensaku Chida
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Silicon;
MOSFET;
Logic gates;
Feedback control;
Thermal sensors;
Metrology;
12.
Electron spin relaxation of single phosphorus donors and donor clusters in atomically engineered silicon devices
机译:
原子工程硅器件中单个磷供体和供体簇的电子自旋弛豫
作者:
Bent Weber
;
Yu-Ling Hsueh
;
Thomas F. Watson
;
Ruoyu Li
;
Alexander R. Hamilton
;
Lloyd C. L. Hollenberg
;
Rajib Rahman
;
Michelle Y. Simmons
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Silicon;
Anisotropic magnetoresistance;
Atomic measurements;
Magnetic fields;
Silicon devices;
Communications technology;
Magnetic field measurement;
13.
Probing the impact of donor quantum dots with high-bias stability diagrams in selectively-doped Si nanoscale transistors
机译:
用高偏置稳定性图探究施主量子点在选择性掺杂Si纳米晶体管中的影响
作者:
A. Afiff
;
A. Samanta
;
T. Hasan
;
A. Udhiarto
;
D. Hartanto
;
H. Sudibyo
;
M. Tabe
;
D. Moraru
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Stability analysis;
Silicon;
Circuit stability;
Nanoscale devices;
Diamond;
Thermal stability;
Couplings;
14.
Inter-band tunneling mechanisms via dopant-induced energy states in low-dimensional si tunnel diodes
机译:
在低维si隧道二极管中通过掺杂剂诱导的能态实现带间隧穿机制
作者:
G. Prabhudesai
;
G. Greeshma
;
M. Shibuya
;
M. Manoharan
;
H. Mizuta
;
M. Tabe
;
D. Moraru
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Tunneling;
Silicon;
Electric fields;
Two dimensional displays;
Nanoscale devices;
Energy states;
Shape;
15.
Sensitive detection of holes generated by impact ionization in silicon
机译:
灵敏检测硅中碰撞电离产生的空穴
作者:
H. Firdaus
;
M. Hori
;
Y. Takahashi
;
A. Fujiwara
;
Y. Ono
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Detectors;
Logic gates;
Charge carrier processes;
Impact ionization;
Silicon;
Substrates;
Current measurement;
16.
Suppressed Fin-LER induced variability in negative capacitance FinFETs
机译:
抑制负电容FinFET中Fin-LER引起的可变性
作者:
Ho-Pei Lee
;
Pin Su
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
FinFETs;
Iron;
Mathematical model;
Logic gates;
Capacitance;
Bars;
17.
Characterictics variability of gate-all-around polycrystalline silicon nanowire transistors with width of 10nm scale
机译:
栅宽为10nm的全栅多晶硅纳米线晶体管的特性变异性
作者:
Ki-Hyun Jang
;
Takuya Saraya
;
Masaharu Kobayashi
;
Naomi Sawamoto
;
Atsushi Ogura
;
Toshiro Hiramoto
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Transistors;
Logic gates;
Gallium arsenide;
Oxidation;
Very large scale integration;
Silicon;
Nanoscale devices;
18.
Theoretical analysis of quasi-ballistic hole transport in Ge and Si nanowires focusing on energy relaxation process
机译:
Ge和Si纳米线中准弹道空穴传输的理论分析,着眼于能量弛豫过程
作者:
Haj Ime Tanaka
;
Jun Suda
;
Tsunenobu Kimoto
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Silicon;
Phonons;
Scattering;
Boltzmann equation;
Electric potential;
Nanowires;
Steady-state;
19.
Impacts of diameter and Ge content variation on the performance of Si
机译:
直径和Ge含量变化对Si性能的影响
作者:
Xianle Zhang
;
Xiaoyan Liu
;
Longxiang Yin
;
Gang Du
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Gallium arsenide;
Ions;
Silicon germanium;
Logic gates;
Resource description framework;
Computational modeling;
Current density;
20.
Improvement of dual-Λ spacer for nanowire-FETs considering circuit delay and electricstatic controllability
机译:
考虑电路延迟和静电可控性的纳米线FET双Λ间隔物的改进
作者:
Hyungwoo Ko
;
Jongsu Kim
;
Dokyun Son
;
Myounggon Kang
;
Hyungcheol Shin
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Capacitance;
Delays;
Controllability;
Logic gates;
Electrostatics;
Dielectric constant;
Electric potential;
21.
Analysis on self heating effects in nanowire ΓΕΤ considering effective thermal conductivity of BEOL
机译:
考虑BEOL有效导热率的纳米线ΓΕΤ自热效应分析
作者:
Hyunsuk Kim
;
Dokyun Son
;
Ilho Myoung
;
Myounggon Kang
;
Hyungcheol Shin
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Conductivity;
Thermal conductivity;
Performance evaluation;
Manganese;
Doping;
Lattices;
22.
Analysis on extension region in nanowire FET considering RC delay and electrical characteristics
机译:
考虑RC延迟和电特性的纳米线FET扩展区分析
作者:
Jongsu Kim
;
Changbeom Woo
;
Myounggon Kang
;
Hyungcheol Shin
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Field effect transistors;
Delays;
Resistance;
Parasitic capacitance;
Performance evaluation;
Nanoscale devices;
Doping profiles;
23.
Study on random telegraph noise of gate-ail-around poly-Si junctionless nanowire transistors
机译:
围栅式多晶硅无结纳米线晶体管的随机电报噪声研究
作者:
Chen-Chen Yang
;
Kang-Ping Peng
;
Yung-Chen Chen
;
Horng-Chih Lin
;
Pei-Wen Li
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Gallium arsenide;
Lithography;
Nanoscale devices;
Fabrication;
24.
Improved electrical characteristics and reliability of multi-stacking PNPN junctionless transistors using channel depletion effect
机译:
利用沟道耗尽效应改善多层PNPN无结晶体管的电气特性和可靠性
作者:
Ming-Huei Lin
;
Yi-Jia Shih
;
Chien Liu
;
Yu-Chien Chiù
;
Chia-Chi Fan
;
Guan-Lin Liou
;
Chun-Hu Cheng
;
Chun-Yen Chang
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Field effect transistors;
Logic gates;
Stress;
Transconductance;
Integrated circuit reliability;
25.
A novel vertical tunnel FET of band-to-band tunneling aligned with gate electric field with averaged SS of 28 mV/decade
机译:
新型带栅隧道垂直栅场效应管,与栅极电场对准,平均SS为28 mV /十倍
作者:
Pao-Chuan Shih
;
Hsien-Chih Huang
;
Chien-An Wang
;
Jiun-Yun Li
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
TFETs;
Electric fields;
Tunneling;
Ions;
Very large scale integration;
Performance evaluation;
26.
Impact of device design parameters on V
机译:
器件设计参数对V的影响
作者:
Abhishek Acharya
;
Sudeb Dasgupta
;
Bulusu Anand
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
TFETs;
Logic gates;
Doping;
Delays;
Performance evaluation;
Bandwidth;
Junctions;
27.
Dopant-segregated metal source tunnel field-effect transistors with schottky barrier and band-to-band tunneling
机译:
具有肖特基势垒和带间隧穿的掺杂剂隔离金属源隧道场效应晶体管
作者:
Chun-Hsing Shih
;
Ting-Shiuan Kang
;
Yu-Hsuan Chen
;
Hung-Jin Teng
;
Nguyen Dang Chien
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
TFETs;
Metals;
Tunneling;
Logic gates;
PIN photodiodes;
Switches;
28.
Fabrication of nano-wedge resistive switching memory and analysis on its switching characteristics
机译:
纳米楔形电阻开关存储器的制备及其开关特性分析
作者:
Dong Keun Lee
;
Sungjun Kim
;
Min-Hwi Kim
;
Suhyun Bang
;
Tae-Hyeon Kim
;
Byung-Gook Park
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Switches;
Electrodes;
Phase change random access memory;
Fabrication;
Resistance;
Metals;
Reliability;
29.
Experimental proof of resonant tunneling in MIEIS devices based on ultra-thin high-k oxides and intrinsic quantum well formation
机译:
基于超薄高k氧化物和本征量子阱形成的MIEIS器件中共振隧穿的实验证明
作者:
Joel Molina Reyes
;
Hector Manuel Uribe Vargas
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Resonant tunneling devices;
Logic gates;
Energy states;
High-k dielectric materials;
Quantization (signal);
Temperature measurement;
Semiconductor diodes;
30.
Possibility of Si resonant plasma-wave transistor as THz detector
机译:
Si谐振等离子体波晶体管作为太赫兹检测器的可能性
作者:
Jong Yul Park
;
Sung-Ho Kim
;
Kyung Rok Kim
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Detectors;
Silicon;
Transistors;
Logic gates;
Resonant frequency;
Terahertz radiation;
Electronic mail;
31.
Harmonie innovatios in semiconductor devices and computer architectures toward post “Moore-era”
机译:
迈向“摩尔时代”后的半导体器件和计算机架构的和谐创新
作者:
Yoshihiro Hayashi
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Computer architecture;
Three-dimensional displays;
Radio frequency;
Two dimensional displays;
Performance evaluation;
Semiconductor devices;
Switches;
32.
More Moore: From device scaling to 3D integration and system-technology co-optimization
机译:
更多信息:从设备扩展到3D集成和系统技术共同优化
作者:
Nadine Collaert
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
FinFETs;
Logic gates;
Silicon;
Random access memory;
Very large scale integration;
Optimization;
Performance evaluation;
33.
Positive bias temperature instability of tunnel thin-film transistor for applications of system-on-panel and three-dimension integrated circuits
机译:
用于面板上系统和三维集成电路的隧道薄膜晶体管的正偏置温度不稳定性
作者:
William Cheng-Yu Ma
;
Hui-Shun Hsu
;
Che-Yu Jao
;
Chih-Cheng Fang
;
Tzu-Han Liao
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Stress;
Thin film transistors;
Degradation;
Tunneling;
Temperature;
Integrated circuits;
Logic gates;
34.
Very large photogain and high photorespone linearity of Ge-dot photoMOSFETs operating in accumulation-mode for monolithic Si photonics
机译:
用于单片Si光子的以累积模式工作的Ge-dot光MOSFET的非常大的光增益和高光敏线性度
作者:
Ming-Hao Kuo
;
B. J. Liu
;
T. L. Huang
;
H. C. Lin
;
Pei-Wen Li
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Lighting;
Photoconductivity;
Linearity;
Logic gates;
Pins;
Silicon;
Dark current;
35.
2D nanoelectronics: From graphene to silicene and beyond
机译:
二维纳米电子学:从石墨烯到硅烯以及其他
作者:
Deji Akinwande
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Graphene;
Transistors;
Two dimensional displays;
Silicon;
Molybdenum;
Sulfur;
Sensors;
36.
Graphene-ZnO:N Schottky junction based thin film transistor
机译:
石墨烯-ZnO:N肖特基结型薄膜晶体管
作者:
S. Heo
;
Y.J. Kim
;
C.H. Kim
;
S.K. Lee
;
H.J. Lee
;
H.J. Hwang
;
J. Noh
;
B.H. Lee
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Graphene;
Thin film transistors;
Junctions;
Logic gates;
Driver circuits;
Performance evaluation;
SPICE;
37.
Physisorption doping induced multiple dots behavior in graphene nanoconstrictions
机译:
物理吸附掺杂诱导石墨烯纳米收缩中的多点行为
作者:
Takuya Iwasaki
;
Zhongwang Wang
;
Jamie Reynolds
;
Manoharan Muruganathan
;
Hiroshi Mizuta
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Graphene;
Doping;
Annealing;
Logic gates;
Diamond;
Nanoscale devices;
Current measurement;
38.
Fermi level modulation at the interface of graphene and metal
机译:
石墨烯和金属界面的费米能级调制
作者:
Y. J. Kim
;
H. J. Lee
;
K. E. Chang
;
C. Cho
;
S. K. Lee
;
B. H. Lee
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Strips;
Annealing;
Hydrogen;
Nickel;
Graphene;
Doping;
39.
Enhanced asymmetry in monolayer graphene geometric diodes
机译:
单层石墨烯几何二极管的增强不对称性
作者:
Vikram Passi
;
Amit Gahoi
;
Max C. Lemme
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Neck;
Graphene;
Fabrication;
Metals;
Electric variables;
Antennas;
Substrates;
40.
BEOL compatible WS2 transistors fully fabricated in a 300 mm pilot line
机译:
与BEOL兼容的WS2晶体管完全在300 mm的试验线中制造
作者:
T. Schram
;
Q. Smets
;
M.H. Heyne
;
B. Graven
;
E. Kunnen
;
A. Thiam
;
K. Devriendt
;
A. Delabie
;
D. Lin
;
D. Chiappe
;
I. Asselberghs
;
M. Lux
;
S. Brus
;
C. Huyghebaert
;
S. Sayan
;
A. Juncker
;
M. Caymax
;
I.P. Radu
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Two dimensional displays;
Logic gates;
Silicon;
Transistors;
Dielectrics;
Modulation;
Doping;
41.
Analysis of metal gate work-function variation for vertical nanoplate FET in 6-T SRAMs
机译:
6-T SRAM中垂直纳米板FET的金属栅极功函数变化分析
作者:
Kyul Ko
;
Dokyun Son
;
Myounggon Kang
;
Hyungcheol Shin
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Random access memory;
Logic gates;
Grain size;
Gallium arsenide;
Metals;
Field effect transistors;
Performance evaluation;
42.
Analysis of parasitic capacitance and performance in gate-ail-around and tri-gate channel vertical FET
机译:
绕栅和三栅垂直FET的寄生电容和性能分析
作者:
Youngsoo Seo
;
Myounggon Kang
;
Hyungcheol Shin
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Parasitic capacitance;
Logic gates;
Field effect transistors;
Metals;
Performance evaluation;
Gallium arsenide;
43.
Analysis of self-heating effects in vertical MOSFETs according to device geometry
机译:
根据器件几何形状分析垂直MOSFET中的自热效应
作者:
Ilho Myeong
;
Dokyun Son
;
Hyunsuk Kim
;
Myounggon Kang
;
Hyungcheol Shin
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Metals;
Thermal conductivity;
Conductivity;
Logic gates;
Lattices;
Air gaps;
Heating systems;
44.
In-depth analysis of self-heating effects in vertical nanoplate-shaped GAAFETs
机译:
垂直纳米板形GAAFET中自热效应的深入分析
作者:
Dokyun Son
;
Ilho Myeong
;
Hyunsuk Kim
;
Myounggon Kang
;
Hyungcheol Shin
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Thermal conductivity;
Conductivity;
Silicon;
Semiconductor process modeling;
Doping;
Thermal resistance;
Field effect transistors;
45.
Analysis of RC delay for high performance in LFET and VFET
机译:
LFET和VFET中高性能的RC延迟分析
作者:
Changbeom Woo
;
Jongsu Kim
;
Myounggon Kang
;
Hyungcheol Shin
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Delays;
Logic gates;
Performance evaluation;
Field effect transistors;
Controllability;
Resistance;
Capacitance;
46.
Gated-thyristor DRAM cell with pillar channel structure
机译:
具有柱沟道结构的门控晶闸管DRAM单元
作者:
Hyungjin Kim
;
Min-Woo Kwon
;
Myung-Hyun Baek
;
Sungmin Hwang
;
Sihyun Kim
;
Taejin Jang
;
Jeong-Jun Lee
;
Hyun-Min Kim
;
Kitae Lee
;
Byung-Gook Park
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Computer architecture;
Random access memory;
Microprocessors;
Anodes;
Cathodes;
Electric potential;
47.
Parameter calibration of drift-diffusion model in quasi-ballisitc transport region with Monte Carlo method
机译:
准弹道运输区域漂移扩散模型的参数校准
作者:
Lei Shen
;
Shaoyan Di
;
Longxiang Yin
;
Xiaoyan Liu
;
Gang Du
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Calibration;
Logic gates;
Semiconductor device modeling;
Scattering;
Simulation;
Electric potential;
Market research;
48.
Performance assessment of a graphene-based ballistic switch design
机译:
基于石墨烯的弹道开关设计的性能评估
作者:
Shamik Das
;
Nicolas S. Arango
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Graphene;
Integrated circuit modeling;
Adders;
Photonic band gap;
Semiconductor device modeling;
Inverters;
49.
A boosted common source line program scheme in channel stacked NAND flash memory with layer selection by multilevel operation
机译:
通过多层操作进行层选择的通道堆叠NAND闪存中的增强型公共源线编程方案
作者:
Do-Bin Kim
;
Dae Woong Kwon
;
Seunghyun Kim
;
Sang-Ho Lee
;
Byung-Gook Park
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Electric potential;
Flash memories;
Computer architecture;
Logic gates;
Microprocessors;
Three-dimensional displays;
Timing;
50.
Effects of nitride trap layer properties on location of charge centroid in charge-trap flash memory
机译:
氮化物陷阱层性质对电荷陷阱闪存中电荷质心位置的影响
作者:
Seunghyun Kim
;
Do-Bin Kim
;
Eunseon Yu
;
Sang-Ho Lee
;
Seongjae Cho
;
Byung-Gook Park
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Electron traps;
Threshold voltage;
Tunneling;
Mathematical model;
Integrated circuit modeling;
Semiconductor device modeling;
MOSFET;
51.
Program/erase speed and data retention trade-off in negative capacitance versatile memory
机译:
负电容通用存储器中的编程/擦除速度和数据保留权衡
作者:
Chia-Chi Fan
;
Yu-Chien Chiù
;
Chien Liu
;
Guan-Lin Liou
;
Wen-Wei Lai
;
Yi-Ru Chen
;
Tun-Jen Chang
;
Wan-Hsin Chen
;
Chun-Hu Cheng
;
Chun-Yen Chang
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Atomic layer deposition;
Capacitance;
Field effect transistors;
Films;
Nitrogen;
Optimization;
52.
Si-on-insulator grating coupler operating at 2 μιη: Device design, fabrication, and characterization
机译:
绝缘体上硅在2μm下的光栅耦合器:器件设计,制造和表征
作者:
Shengqiang Xu
;
Xin Guo
;
Yuan Dong
;
Wei Wang
;
Hong Wang
;
Xiao Gong
;
Yee-Chia Yeo
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Gratings;
Couplers;
Optical waveguides;
Couplings;
Loss measurement;
Silicon;
Optical fiber communication;
53.
Revisiting room-temperature 1.54 μιη photoluminescence of ErO
机译:
回顾ErO的室温1.54μm光致发光
作者:
Enrico Prati
;
Michele Celebrano
;
Lavinia Ghirardini
;
Paolo Biagioni
;
Marco Finazzi
;
Yasuo Shimizu
;
Yuan Tu
;
Koji Inoue
;
Yasuyoshi Nagai
;
Takahiro Shinada
;
Yuki Chiba
;
Ayman Abdelghafar
;
Maasa Yano
;
Takashi Tanii
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Silicon;
Erbium;
Photonics;
Photoluminescence;
Ions;
Optical device fabrication;
Microscopy;
54.
Counter-intuitive Ge/Si/O interactions and Ge/Si symbiosis enable the creatation of new classes of exciting nanoelectronic and nanophotonic devices
机译:
与直觉相反的Ge / Si / O相互作用和Ge / Si共生关系创造了新型的令人兴奋的纳米电子和纳米光子器件
作者:
C. Y. Hsueh
;
T. L. Huang
;
K. P. Peng
;
M. H. Kuo
;
H. C. Lin
;
Pei-Wen Li
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Silicon;
Substrates;
Annealing;
Encapsulation;
Silicon germanium;
Nanoscale devices;
Logic gates;
55.
Different pixel patterns of Si-based far infrared bolometers
机译:
硅基远红外辐射热计的不同像素图案
作者:
Feng-Renn Juang
;
Wen-Kuan Yeh
;
Wei-Chih Chen
;
Ming-Feng Chung
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Bolometers;
Legged locomotion;
Resistance;
Geometry;
Detectors;
Polyimides;
Optical resonators;
56.
Graphene heat spreaders for thermal management of HBTs
机译:
用于HBT热管理的石墨烯散热器
作者:
Wei-Min Tu
;
Hsien-Cheng Tseng
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Graphene;
Heating systems;
Heterojunction bipolar transistors;
Performance evaluation;
Heat engines;
Thermal engineering;
Two dimensional displays;
57.
Implementation of inhibitory operation in neuromorphic system
机译:
神经形态系统抑制操作的实现
作者:
Jeong-Jun Lee
;
Min-Woo Kwon
;
Hyungjin Kim
;
Sungmin Hwang
;
Byung-Gook Park
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Neurons;
Capacitors;
Neuromorphics;
Fires;
Artificial intelligence;
Threshold voltage;
58.
Dual gate positive feedback field-effect transistor for low power analog circuit
机译:
低功耗模拟电路的双栅极正反馈场效应晶体管
作者:
Min-Woo Kwon
;
Sungmin Hwang
;
Myung-Hyun Baek
;
Seongjae Cho
;
Byung-Gook Park
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Transient analysis;
Inverters;
Analog circuits;
Switches;
Performance evaluation;
Simulation;
59.
A 0.9-GHz fully integrated 45 PAE class-Ε power amplifier fabricated using a 0.18-μm CMOS process for LoRa applications
机译:
使用LoRa应用的0.18μmCMOS工艺制造的0.9 GHz完全集成45%PAE E类功率放大器
作者:
Yu-Ting Tseng
;
Jeng-Rern Yang
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Power amplifiers;
Power generation;
CMOS process;
Inductors;
Gain;
Power demand;
Radio frequency;
60.
Ethanol gas sensor with nanotree arrays by hydrothermal method and wet etching
机译:
水热法和湿法刻蚀的纳米树阵列乙醇气体传感器
作者:
Feng-Renn Juang
;
Chia-Pin Hsaio
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Ethanol;
Nanoscale devices;
Sensors;
Zinc oxide;
II-VI semiconductor materials;
Silicon;
Sensitivity;
61.
Investigation on the RRAM overshoot current suppression with circuit simulation
机译:
用电路仿真研究RRAM过冲电流抑制
作者:
Suyun Bang
;
Sungjun Kim
;
Min-Hwi Kim
;
Tae-Hyeon Kim
;
Dong Keun Lee
;
Byung-Gook Park
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Transistors;
Integrated circuit modeling;
Periodic structures;
Capacitors;
Transient analysis;
Circuit simulation;
Random access memory;
62.
A new operation scheme to obtain 3-bit capacity per cell in HfO
机译:
一种获取HfO中每个单元3位容量的新操作方案
作者:
Dongbin Zhu
;
Xiangxiang Ding
;
Peng Huang
;
Zheng Zhou
;
Xiaolu Ma
;
Lifeng Liu
;
Jinfeng Kang
;
Xing Zhang
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Resistance;
Standards;
Fabrication;
Etching;
Electronic mail;
Nonvolatile memory;
Power demand;
63.
Evaluation of multilevel memory capability of ReRAM using Ta
机译:
使用Ta评估ReRAM的多级存储能力
作者:
Yuanlin Li
;
Reon Katsumura
;
Mika Kristian Grönroos
;
Atsushi Tsurumaki-Fukuchi
;
Masashi Arita
;
Hideyuki Andoh
;
Takashi Morie
;
Yasuo Takahashi
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Resistance;
Electrodes;
Voltage measurement;
Insulators;
Random access memory;
Neural networks;
64.
Characterization of resistive switching memory devices with tunnel barrier
机译:
具有隧道势垒的电阻式开关存储器件的特性
作者:
Sungjun Kim
;
Min-Hwi Kim
;
Tae-Hyeon Kim
;
Suhyun Bang
;
Dong Keun Lee
;
Yao-Feng Chang
;
Byung-Gook Park
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Switches;
Silicon compounds;
Switching circuits;
Hafnium oxide;
Tunneling;
Low voltage;
Performance evaluation;
65.
Analysis of two divided component of NBTI framework using TCAD simulation
机译:
用TCAD仿真分析NBTI框架的两个组成部分
作者:
Shinkeun Kim
;
Youngsoo Seo
;
Dokyun Son
;
Myounggon Kang
;
Hyungcheol Shin
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Negative bias temperature instability;
Thermal variables control;
Stress;
Degradation;
Reliability;
Logic gates;
Simulation;
66.
Comparison of parasitic components between LFET and VFET using 3D TCAD
机译:
使用3D TCAD比较LFET和VFET之间的寄生成分
作者:
Minsoo Kim
;
Hyungwoo Ko
;
Myounggon Kang
;
Hyungcheol Shin
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Capacitance;
Resistance;
Three-dimensional displays;
Performance evaluation;
Logic gates;
Manganese;
Nanoscale devices;
67.
Simulation study on temprature dependence of MOSFET and TFET-based pH-sensitive ISFET
机译:
MOSFET和基于TFET的pH敏感ISFET的温度依赖性的仿真研究
作者:
Sihyun Kim
;
Dae Woong Kwon
;
Ryoongbin Lee
;
Dae Hwan Kim
;
Byung-Gook Park
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Temperature dependence;
Sensitivity;
MOSFET;
Temperature;
Temperature sensors;
Chemical sensors;
68.
Undoped SiGe FETs with metal-insulator-semiconductor contacts
机译:
具有金属-绝缘体-半导体触点的未掺杂SiGe FET
作者:
Liang-Yu Chen
;
Yu-Feng Hsieh
;
Kuo-Hsing Kao
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Field effect transistors;
Silicon germanium;
Metals;
Fluctuations;
Tunneling;
Contacts;
69.
GeSn N-FinFETs and NiGeSn contact formation by phosphorus implant
机译:
通过磷注入形成GeSn N-FinFET和NiGeSn接触
作者:
Yen Chuang
;
Hsien-Chih Huang
;
Jiun-Yun Li
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Conductivity;
Logic gates;
Implants;
Films;
Phosphorus;
Annealing;
FinFETs;
70.
Atom probe study of erbium and oxygen co-implanted silicon
机译:
oxygen氧共注入硅的原子探针研究
作者:
Yasuo Shimizu
;
Yuan Tu
;
Ayman Abdelghafar
;
Maasa Yano
;
Yudai Suzuki
;
Takashi Tanii
;
Takahiro Shinada
;
Enrico Prati
;
Michele Celebrano
;
Marco Finazzi
;
Lavinia Ghirardini
;
Koji Inoue
;
Yasuyoshi Nagai
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Erbium;
Silicon;
Probes;
Optical device fabrication;
Tomography;
Annealing;
Atomic measurements;
71.
Harnessing Si CMOS technology for quantum information
机译:
利用Si CMOS技术获取量子信息
作者:
L. Hutin
;
B. Bertrand
;
R. Maurand
;
M. Urdampilleta
;
B. Jadot
;
H. Bohuslavskyi
;
L. Bourdet
;
Y.-M. Niquet
;
X. Jehl
;
S. Barraud
;
C. Bäuerle
;
T. Meunier
;
M. Sanquer
;
S. De Franceschi
;
M. Vinet
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Silicon;
Split gate flash memory cells;
Couplings;
Radio frequency;
Tunneling;
Geometry;
72.
28nm Fully-depleted SOI technology: Cryogenic control electronics for quantum computing
机译:
28nm全耗尽SOI技术:用于量子计算的低温控制电子设备
作者:
H. Bohuslavskyi
;
S. Barraud
;
M. Cassé
;
V. Barrai
;
B. Bertrand
;
L. Hutin
;
F. Arnaud
;
P. Galy
;
M. Sanquer
;
S. De Franceschi
;
M. Vinet
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
MOS devices;
Silicon;
Logic gates;
Cryogenics;
Silicon-on-insulator;
CMOS technology;
Performance evaluation;
73.
RRAM based convolutional neural networks for high accuracy pattern recognition and online learning tasks
机译:
基于RRAM的卷积神经网络可实现高精度模式识别和在线学习任务
作者:
Z. Dong
;
Z. Zhou
;
Z.F. Li
;
C. Liu
;
Y.N. Jiang
;
P. Huang
;
L.F. Liu
;
X.Y. Liu
;
J.F. Kang
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Kernel;
Convolution;
Feature extraction;
Computer architecture;
74.
RRAM-based pattern recognition system with locally inhibited post-neurons
机译:
具有局部抑制后神经元的基于RRAM的模式识别系统
作者:
Zheng Zhou
;
Peng Huang
;
Yuning Jiang
;
Zhe Chen
;
Chen Liu
;
Lifeng Liu
;
Xiaoyan Liu
;
Jinfeng Kang
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Training;
Pattern recognition;
Testing;
Databases;
Switches;
75.
Investigation on the V
机译:
V的调查
作者:
Xiaobo Jiang
;
Runsheng Wang
;
Shaofeng Guo
;
Ru Huang
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Transient analysis;
FinFETs;
Integrated circuit modeling;
Fitting;
Energy consumption;
Stochastic processes;
Delays;
76.
Design of majority logic gate for single-dopant device
机译:
单掺杂器件的多数逻辑门设计
作者:
Takahide Ova
;
Takahiro Shinada
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Clocks;
Fluctuations;
Thermal noise;
Neural networks;
Doping;
Monte Carlo methods;
77.
Nanoscale Memories for Compute Applications
机译:
纳米级存储器用于计算应用程序
作者:
Krishna Parat
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
78.
Operation-Oriented Solution to Boost Key Performance of RRAM
机译:
以操作为导向的解决方案,以提高RRAM的关键性能
作者:
B. Chen
;
B. Gao
;
S. W. Sheng
;
L. F. Liu
;
X. Y. Liu
;
Y. S. Chen
;
Y. Wang
;
J. F. Kang
;
B. Yu
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
79.
Evaluation of Adhesion Materials for Gold Line-and-Space Surface Plasmon Antenna on SOI-MOS Photodiode
机译:
SOI-MOS光电二极管金线空间表面等离子体天线粘附材料的评价
作者:
Hiroaki Satoh
;
Yuki Matsuo
;
Hiroshi Inokawa
;
Atsushi Ono
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
80.
Multi-Bit Electromechanical Memory Cell for Simple Fabrication Process
机译:
用于简单制造过程的多位机电存储器单元
作者:
Kwangseok Lee
;
Woo Young Choi
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
81.
Precise Thickness Control of NiSi by Nitrogen Ion-implantation for Multi-gate Strained Si Channel Metal S/D MOSFETs
机译:
用氮离子植入对多栅极应变Si通道金属S / D MOSFET进行精确厚度控制
作者:
Keiji Ikeda
;
Yuuichi Kamimuta
;
Noriyuki Taoka
;
Yoshihiko Moriyama
;
Minoru Oda
;
Tsutomu Tezuka
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
82.
Non-Silicon Logic Elements on Silicon for Extreme Voltage Scaling
机译:
用于极端电压缩放的硅上的非硅逻辑元件
作者:
S. Datta
;
A. Ali
;
S. Mookerjea
;
V. Saripalli
;
L. Liu
;
S. Eachempati
;
T. Mayer
;
V. Narayanan
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
83.
Performance Characteristics of Strongly Correlated Bilayer Graphene for Post-CMOS Logic Devices
机译:
CMOS逻辑器件强烈相关双层石墨烯的性能特征
作者:
B. Dellabetta
;
M. J. Gilbert
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
关键词:
Graphene;
Simulation;
Transport;
Logic;
Post-CMOS;
84.
Low Resistive ALD TiN Metal Gate using TDMAT Precursor for High Performance MOSFET
机译:
低电阻ALD锡金属栅极使用TDMAT前体进行高性能MOSFET
作者:
X. Hayashida
;
K. Endo
;
Y. X. Liu
;
T. Kamei
;
T. Matsukawa
;
S. Ouchi
;
K. Sakamoto
;
J. Tsukada
;
Y. Ishikawa
;
H. Yamauchi
;
A. Ogura
;
M. Masahara
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
85.
The Potential of Poly-Si Nanowire FETs Featuring Independent Double-Gated Configuration for Nonvolatile Memory Applications
机译:
用于非易失性存储器应用的多Si纳米线FET的电位为独立的双门控配置
作者:
Wei-Chen Chen
;
Homg-Chih Lin
;
Tiao-Yuan Huang
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
86.
Improvement of junction characteristics of ultra shallow junction with boron-cluster implantation and Ni-silicide for nano-scale CMOS Technology
机译:
用硼簇植入和Ni-硅化纳米级CMOS技术改进超浅结的结特性
作者:
Hong-Sik Shin
;
Se-Kyung Oh
;
Min-Ho Kang
;
In-Shik Han
;
Hyuk-Min Kwon
;
Sang-Uk Park
;
Byung-Seok Park
;
Jung-Deuk Bok
;
Ga-Won Lee
;
Hi-Deok Lee
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
87.
Experimental Progress of and Prospects for Nanomagnet Logic (NML)
机译:
Nanomagnet Logic(NML)的实验进展和前景
作者:
M. Alam
;
G. H. Bernstein
;
J. Bokor
;
D. Carlton
;
X. S. Hu
;
S. Kurtz
;
B. Lambson
;
M. T. Niemier
;
W. Porod
;
M. Siddiq
;
E. Varga
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
关键词:
Beyond Moore;
Nanomagnet logic;
CMOS compatible;
88.
Novel Ni Germanide Technology with Co-sputtering of Ni and Pt for Thermally Stable Ge MOSFETs on Ge-on-Si Substrate
机译:
具有Ni和Pt的新型镍锗技术,在Ge-on-Si衬底上进行热稳态GE MOSFET
作者:
Min-Ho Kang
;
Se-Kyung Oh
;
Hong-Sik Shin
;
Jung-Ho Yoo
;
Ga-Won Lee
;
Jin-Suk Wang
;
Jung-Woo Oh
;
Prashant Majhi
;
Raj Jammy
;
Hi-Deok Lee
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2010年
89.
Design of learning circuit for single-electron neural networks
机译:
单电子网络学习电路设计
作者:
Masaki Ueno
;
Takahide Oya
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Biological neural networks;
Switching circuits;
Character recognition;
Reservoirs;
Neurons;
Tunneling;
Junctions;
90.
Characterization of Chalcogenide Selectors for Crossbar Switch Used in Nonvolatile FPGA
机译:
非挥发性FPGA横杆开关的氯化硅选择器的表征
作者:
H. Numata
;
N. Banno
;
K. Okamoto
;
N. Iguchi
;
H. Hada
;
M. Hashimoto
;
T. Sugibayashi
;
T. Sakamoto
;
M. Tada
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Films;
Switches;
Field programmable gate arrays;
Electrodes;
Chalcogenides;
Computer architecture;
Fabrication;
91.
Application of Extreme Value Theory to Statistical Analyses of Worst Case SRAM Data Retention Voltage
机译:
极值理论在最坏情况下SRAM数据保留电压统计分析的应用
作者:
Tomoko Mizutani
;
Kiyoshi Takeuchi
;
Takuya Saraya
;
Masaharu Kobayashi
;
Toshiro Hiramoto
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
SRAM cells;
Distribution functions;
Maximum likelihood estimation;
Arrays;
Noise measurement;
92.
From Gate Oxide Characterization to TCAD Predictions: Exploring Impact of Defects Across Technologies
机译:
从栅极氧化物表征到TCAD预测:探索缺陷跨技术的影响
作者:
G. Rzepa
;
F. Schanovsky
;
M. Karner
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
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2019年
关键词:
Logic gates;
Nanowires;
Degradation;
FinFETs;
Hafnium compounds;
Predictive models;
Standards;
93.
Ge Condensation Process for High ON/OFF Ratio of SiGe Gate-All-Around Nanowire Tunnel Field-Effect Transistor
机译:
用于SiGe Gate-全纳米线隧道场效应晶体管高开/关比的GE冷凝工艺
作者:
Ryoongbin Lee
;
Junil Lee
;
Sangwan Kim
;
Kitae Lee
;
Sihyun Kim
;
Soyoun Kim
;
Yunho Choi
;
Byung-Gook Park
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Germanium;
Silicon germanium;
TFETs;
Logic gates;
Gallium arsenide;
Photonic band gap;
Silicon;
94.
Moving Spins From Lab to Fab: A Silicon-Based Platform for Quantum Computing Device Technologies
机译:
从Lab到Fab移动旋转:用于量子计算设备技术的基于硅的平台
作者:
B. Govoreanu
;
S. Kubicek
;
J. Jussot
;
BT Chan
;
N.I. Dumoulin-Stuyck
;
F.A. Mohiyaddin
;
R. Li
;
G. Simion
;
Ts. Ivanov
;
D. Mocuta
;
J. Lee
;
I.P. Radu
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Logic gates;
Metals;
95.
Error Crrection for Read-hot Data in 3D-TLC NAND Flash by Read-disturb Modeled Artificial Neural Network Coupled LDPC ECC
机译:
通过读干扰建模人工神经网络耦合LDPC ECC的3D-TLC NAND闪存中读热数据误差rrection
作者:
Daiki Kojima
;
Toshiki Nakamura
;
Ken Takeuchi
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Flash memories;
Parity check codes;
Artificial neural networks;
Bit error rate;
Error correction codes;
Training;
Data models;
96.
Thermal-Noise-Harnessing Single-Electron Memory Pair Circuit and its Application to Full Adder Circuit With Simple Structure
机译:
热噪声利用单电子存储对电路及其在具有简单结构的全加加法电路中的应用
作者:
Risa Kaide
;
Takahide Oya
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2019年
关键词:
Adders;
Thermal noise;
Information processing;
Stochastic resonance;
Integrated circuit modeling;
Single electron memory;
Capacitors;
97.
Characterization of top-gated Si/SiGe devices for spin qubit applications
机译:
用于旋转量子位应用的顶部门控SI / SIGE器件的特征
作者:
Fabio Ansaloni
;
Christian Volk
;
Anasua Chatterjee
;
Ferdinand Kuemmeth
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
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2019年
关键词:
Silicon;
Quantum dots;
Logic gates;
Electrodes;
Germanium;
Light emitting diodes;
Lighting;
98.
Less Reliable Page Error Reduction for 3D-TLC NAND Flash Memories with Data Overhead Reduction by 40 and Data-retention Time Increase by 5.0x
机译:
3D-TLC NAND闪存的可靠页面误差减少,数据开销减少40%,数据保留时间增加5.0倍
作者:
Kyosuke Maeda
;
Kyoji Mizoguchi
;
Ken Takeuchi
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
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2019年
关键词:
Reliability;
Flash memories;
Charge measurement;
Shape;
Error correction codes;
Modulation;
Decoding;
99.
Experimental Demonstration of Performance Enhancement of MFMIS and MFIS for 5-nm × 12.5-nm Poly-Si Nanowire Gate-All-Around Negative Capacitance FETs Featuring Seed-Layer and PMA-Free Process
机译:
实验证明MFMIS和MFIS的5-NM×12.5-nm Poly-Si纳米线门 - 全绕负电容FET,具有种子层和PMA的过程
作者:
Shen-Yang Lee
;
Han-Wei Chen
;
Chiuan-Huei Shen
;
Po-Yi Kuo
;
Chun-Chih Chung
;
Yu-En Huang
;
Hsin-Yu Chen
;
Tien-Sheng Chao
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
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2019年
关键词:
Logic gates;
Gallium arsenide;
Silicon;
Tin;
Annealing;
Capacitance;
100.
Investigation of Ferroelectric Granularity for Double-Gate Negative-Capacitance FETs Considering Position and Number Fluctuations
机译:
考虑位置和数字波动的双栅极负电容FET的铁电粒度研究
作者:
Che-Lun Fan
;
Kuei-Yang Tseng
;
You-Sheng Liu
;
Pin Su
会议名称:
《Silicon Nanoelectronics Workshop》
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2019年
关键词:
Iron;
Fluctuations;
Grain size;
Standards;
Field effect transistors;
Hafnium compounds;
Mathematical model;
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