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用于修补交替相移掩模的方法

摘要

描述用于修补具有底切蚀刻的APSM掩模的方法。利用原子力显微镜的针尖来移除板上的缺陷上方的吸收层以及板上的缺陷的第一部分。利用电子束诱导蚀刻来移除缺陷的第二部分,该电子束诱导蚀刻包括:在缺陷的第二部分上方引入第一气体以便形成用于蚀刻缺陷的第一化学物;以及停留电子束。利用电子束诱导沉积法来在板上重建具有悬垂结构的吸收层。在板上方引入第二气体以便形成用于在板上形成不透明材料的第二化学物。使电子束停留预定时间以便诱导在板上形成该不透明材料。对于一个实施例,测量缺陷的轮廓以便控制蚀刻。

著录项

  • 公开/公告号CN101133362B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-07-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN200680006823.9

  • 发明设计人 T·梁;

    申请日2006-01-03

  • 分类号

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人曾祥夌

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:15:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-27

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03F 1/72 授权公告日:20130717 终止日期:20190103 申请日:20060103

    专利权的终止

  • 2013-07-17

    授权

    授权

  • 2013-07-17

    授权

    授权

  • 2008-04-23

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-04-23

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-02-27

    公开

    公开

  • 2008-02-27

    公开

    公开

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