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用电子回旋共振微波等离子体制备超薄氮化硅薄膜的方法

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摘要

本发明涉及制备微电子介电层、光电子材料与器件保护层、介电层的生长方法。用电子回旋共振微波等离子体技术，适合于单晶Si衬底片，在一定微波功率条件下，通过调整[N

1. 用电子回旋共振微波等离子体制备超薄氮化硅薄膜的方法 [P] . 中国专利： CN1124364C . 2003.10.15
2. 电子回旋共振等离子体化学汽相淀积氮化硅薄膜的方法 [P] . 中国专利： CN101104925A . 2008-01-16
3. Method of forming silicon nitride thin film and method of manufacturing thin film transistor using silicon nitride thin film [P] . 欧洲知识产权局专利： EP0454100B1 . 1997-11-19

机译：氮化硅薄膜的形成方法以及使用该氮化硅薄膜的薄膜晶体管的制造方法
4. SILICON NITRIDE THIN FILM DEPOSITING METHOD, AND SILICON NITRIDE THIN FILM DEPOSITING DEVICE [P] . 日本专利： JP2011023655A . 2011-02-03

机译：氮化硅薄膜沉积方法及氮化硅薄膜沉积装置
5. Aforementioned it consists of with the process oxidation the silicon thin film which was formed or nitriding with oxygen or nitrogen making use of the process which forms the silicon thin film which consists of [P] . 日本专利： JP4405715B2 . 2010-01-27

机译：前述的方法包括利用形成硅薄膜的方法，通过氧化形成的硅薄膜或用氧气或氮气氮化来形成硅薄膜。