一种单晶金刚石同质拼接及界面低应力调控方法

摘要

本发明公开一种单晶金刚石同质拼接及界面低应力调控方法，在单晶金刚石籽晶连接界面采用金属催化法生成SiC纳米线,金属催化生长的SiC纳米线穿过金刚石晶体结构将单晶金刚石籽晶进行柔性连接；在单晶金刚石籽晶连接界面采用金属催化法生成SiC纳米线，以实现单晶金刚石微观柔性连接，这种异质连接界面稳定且能耐受金刚石生长的高温环境，且SiC纳米线在金刚石同质外延生长的全过程都保持了结构的完整性。通过SiC纳米线将单晶金刚石籽晶进行柔性连接，将有利于缓解单晶金刚石拼接界面同质外延生长时的应力累积效应，较大程度地减轻拼接界面的生长应力水平。