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宋修曦; 马志斌; 耿传文; 丁康俊; 任昱霖;
武汉工程大学材料科学与工程学院湖北省等离子体化学与新材料重点实验室;
同质外延; 单晶金刚石; 应力; 化学气相沉积;
机译:同质外延单晶金刚石在不同气压和MPACVD反应器配置下的生长
机译:在带有硼注入层的天然金刚石种子(Ha型)上生长的同质外延单晶金刚石,表明离子注入金刚石在300 K时具有最高1150 cm〜2 / V s的迁移率
机译:嵌入金岛的(111)金刚石薄膜的同质外延生长和应力分析
机译:在不同压力下通过调制/未调制感应热等离子体辐射生长单晶金刚石膜
机译:掺硼单晶金刚石的同质外延沉积。
机译:MPCVD系统中300托压力下单晶金刚石的同质外延生长
机译:通过横截面TEm和CL分析,衬底类型对CVD生长的同质外延金刚石层质量的影响
机译:通过微波等离子体辅助化学气相沉积在高温下高生长率同质外延金刚石膜沉积
机译:金刚石在金刚石基底上的单晶同质外延生长-通过将冷却的基底保持在碳氢化合物气体和氧气的火焰中
机译:微波等离子体辅助化学气相沉积在高温下高生长速率的同质外延金刚石膜沉积
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