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一种垂直交叉堆叠栅应变SiGeC量子阱沟道CMOS器件结构

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摘要

本发明公开了一种新型垂直交叉堆叠栅应变SiGeC量子阱沟道CMOS器件结构，其技术方案在于该器件自上而下的结构为：四周具有环绕SiO

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-07-08

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/092 授权公告日:20130424 终止日期:20140517 申请日:20110517

专利权的终止
2014-08-13

文件的公告送达 IPC(主分类):H01L 27/092 收件人:西安电子科技大学文件名称:缴费通知书申请日:20110517

文件的公告送达
2013-04-24

授权

授权
2011-11-23

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/092 申请日:20110517

实质审查的生效
2011-10-05

公开

公开

1. 一种垂直交叉堆叠栅应变SiGeC量子阱沟道CMOS器件结构 [P] . 中国专利： CN102208415B . 2013.04.24
2. 一种可调节垂直栅SOI CMOS器件沟道电流的叉指型结构 [P] . 中国专利： CN101764136B . 2011.11.16
3. Strained channel CMOS device with fully silicided gate electrode [P] . 美国专利： US7195969B2 . 2007-03-27

机译：具有完全硅化栅电极的应变沟道CMOS器件
4. Strained channel CMOS device with fully silicided gate electrode [P] . 美国专利： US2006148181A1 . 2006-07-06

机译：具有完全硅化栅电极的应变沟道CMOS器件
5. Non-volatile memory device having three dimensional, vertical channel, alternately stacked gate electrode structure [P] . 美国专利： US8829598B2 . 2014-09-09

机译：具有三维垂直沟道交替堆叠栅电极结构的非易失性存储器件