MOSFET; hafnium compounds; titanium compounds; silicon; elemental semiconductors; Ge-Si alloys; semiconductor materials; electron mobility; dielectric thin films; leakage currents; high mobility MOS transistors; strained channel MOS transistors; HfO/sub;
机译:具有HfO {sub} 2 / TiN栅堆叠的SiGe表面沟道pMOSFET的制备和迁移特性
机译:具有TiN / GdScO_3栅叠层的高迁移率应变Si_(0.5)Ge_(0.5)/ SSOI短沟道场效应晶体管
机译:采用前栅极工艺制造的Hf-Si / HfO_2栅堆叠的低阈值电压和高迁移率N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:具有HFO {Sub} 2 / TIN栅极堆叠的高电流性SI / SIED应变通道MOS晶体管
机译:纳米膜叠层电子和光电器件以及应变通道柔性高速晶体管
机译:氟化HfO2 / SiON栅堆叠的单轴应变nMOSFET的电学特性
机译:HfO2 / TiN栅极金属氧化物半导体场效应晶体管中的电子迁移率分析:HfO2厚度,温度和氧化物电荷的影响