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公开/公告号CN115083921A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-09-20
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第十三研究所;
申请/专利号CN202210570829.X
发明设计人 王元刚;吕元杰;敦少博;卜爱民;韩婷婷;刘宏宇;冯志红;
申请日2022-05-24
分类号H01L21/34;H01L29/06;H01L29/872;
代理机构石家庄国为知识产权事务所;
代理人刘少卿
地址 050051 河北省石家庄市合作路113号
入库时间 2023-06-19 16:53:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-09-20
公开
发明专利申请公布
机译: 氧化镓肖特基二极管及其制备方法
机译: 氧化镓肖特基二极管和制造方法
机译: 制备氮化镓融合的P-I-N肖特基(MPS)二极管的方法
机译:制造高质量基于β-氧化镓的肖特基二极管的选择方法
机译:基于非晶态铟锡锌氧化物/铟镓锌锌氧化物双层的低温处理功率肖特基二极管
机译:梯度氧掺杂形成的透明铟锡氧化物/铟镓锌氧化物肖特基二极管
机译:(001)β-镓氧化镓肖特基二极管高敏感发射显微镜的反向漏电流观察
机译:基于体氮化镓的电子设备:肖特基二极管,肖特基型紫外光电探测器和金属氧化物半导体电容器。
机译:直接辐射的片上砷化镓肖特基二极管和天线的射频到直流特性用于近距离通信系统
机译:基于铟 - 镓 - 锌 - 氧化物的高性能肖特基二极管
机译:FY2016体积GaN衬底上垂直氮化镓功率肖特基二极管的制备与表征。