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汪海波; 万丽娟; 樊敏; 杨金; 鲁世斌; 张忠祥;
合肥师范学院电子信息与电气工程系,合肥230601;
电子信息系统仿真与设计安徽省重点实验室,合肥230601;
氧化镓; 肖特基二极管; 有效势垒; 隧穿电流;
机译:Ta氧化物中间层对Ni / n型Ge肖特基势垒二极管肖特基势垒参数的影响
机译:MIST EPITAXY〜®生长的刚玉结构氧化镓肖特基势垒二极管的导通电阻为0.1mΩ·cm〜2
机译:磷化镓肖特基势垒二极管的耗尽电容和扩散势。
机译:使用β型氧化镓肖特基势垒二极管的PFC电路的开关特性
机译:分析砷化镓肖特基势垒二极管中的高频效应。
机译:GaN基纳米级肖特基势垒二极管中的势垒不均匀性限制了电流和1 / f噪声的传输
机译:分子改性氮化镓表面上肖特基势垒二极管电特性的显着改善
机译:砷化镓磷化物和磷化镓肖特基势垒二极管的辐射效应。
机译:用于高频收发器的混频器的电源电路连接到肖特基势垒二极管,并包括可调整的片状电阻器,该电阻器控制耦合器输出端提供给肖特基势垒二极管的偏置电流
机译:具有氮化铝镓表面层的氮化镓基肖特基势垒二极管
机译:垂直型肖特基势垒二极管,使用氮化镓基体作为漂移层
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