一种SiC通孔和Pt-Pt键合互连结构及其制备方法

摘要

本发明涉及微电子封装领域，更具体而言，涉及一种SiC通孔和Pt‑Pt键合互连结构及其制备方法。具体包括：芯片、绝缘层、金属层、粘附层、凸点、密封环和基板；所述芯片上设有SiC通孔；所述绝缘层将基板上、下表面以及SiC通孔内壁覆盖；所述粘附层附着在绝缘层外；所述金属层附着在粘附层外；所述粘附层、金属层和绝缘层将SiC通孔完全填充；所述基板上设有与芯片相对应的SiC通孔；所述凸点溅射在芯片和基板的SiC通孔处；所述密封环溅射在凸点外侧，密封芯片和基板形成无氧密封腔；所述芯片采用耐高温、抗氧化的SiC材料。使用SiC材料解决了传统的Si材料在高温环境下失效的问题，使该封装结构能在1200℃甚至更高的环境温度下使用。是一种有效的耐高温封装方法。