包括与场效应晶体管串联的绝缘栅场效应晶体管的半导体器件

摘要

一种半导体器件，包括与场效应晶体管(2)FET串联的绝缘栅场效应晶体管(1)，其中，FET(2)包括若干平行导电层(n1‑n5，p1‑p4)，并且其中，第一导电类型的衬底(11)布置为半导体器件的基底，从而在两个晶体管(1，2)下方延伸，第二导电类型的第一层(n1)布置为在衬底(11)上方延伸，其中，在所述第一层(n1)的顶部布置有具有沟道的若干导电层，所述沟道由若干第一导电类型掺杂的外延层(n2‑n4)形成，所述第一导电类型掺杂的外延层(n2‑n4)的两侧具有第一导电类型的层(p1‑p4)，其中，所述器件的最上层(p5)优选地比直接在表面下的若干平行导电层(p1‑p4，n1‑n4)实质上更厚，场效应晶体管(2)JFET在JFET的源极侧通过第二导电类型的深多晶硅沟槽DNPT(22)隔开，绝缘栅场效应晶体管(1)通过两侧的第一导电类型的深多晶硅沟槽DPPT(22，23)隔开，包括逻辑和模拟控制功能的另一隔开的区域(5)通过两侧的第一导电类型的深多晶硅沟槽DPPT(23，24)隔开。