制造包括转移到设置有电荷俘获层的支撑体上的薄层的结构的方法

摘要

本发明涉及一种制造结构(1)的方法，该结构(1)包括转移到设置有电荷俘获层(3)的支撑体(2)上的薄层(5)，该方法包括以下步骤：‑制备支撑体(2)，包括在基础衬底(6)上形成俘获层(3)，所述俘获层(3)具有小于1018at/cm3的氢浓度；‑通过具有小于1020at/cm3的氢浓度或包括防止氢向俘获层(3)扩散的屏障或具有低氢扩散性的介电层(4)，将所述支撑体(2)附着到施主衬底；‑去除所述施主衬底的一部分以形成薄层(5)；该制造方法将所述结构(1)露出于低于为1000℃的最高温度的温度。本发明还涉及在该方法结束时获得的结构。