一种高可靠共浮栅型Flash存内计算器件及阵列结构

摘要

本发明公开一种高可靠共浮栅型Flash存内计算器件及阵列结构，属于微电子集成电路领域。通过FGMOS型权重编程管T2控制FGMOS型权重存储管T3的电导状态，权重调节范围广；采用电子注入效率高的BTBT编程方式，可以有效地提升编程速率；同时，该BTBT编程方式与CHHE及FN编程方式相比，可以减小编程操作对Flash存内计算器件隧道氧化层质量的不利影响，进一步提升该存内计算器件结构的可靠性和工作寿命。本发明通过增加MOS型选通管T1解决阵列中Flash单元的权重配置干扰问题，增强Flash阵列的配置可靠性，权重配置精度高。本发明得到的Flash存内计算器件结构简单，与CMOS工艺兼容，面积小，适用于存算一体架构电路。