一种集成沟道二极管的碳化硅双槽MOSFET

摘要

本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种集成沟道二极管的碳化硅双槽MOSFET。本发明的主要特征在于：第一：集成了沟道二极管，当器件处于续流工作模式时，沟道二极管导通实现续流功能，通过降低反向导通压降来有效抑制体二极管的导通，同时消除双极退化带来的影响；第二：通过源沟槽下方的P型区域调制电场，降低栅沟槽底部二氧化硅拐角处的电场尖峰，提高器件在阻断工作模式下的击穿电压和可靠性。