退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN113990923A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-28
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN202111219760.8
发明设计人 罗小蓉;姜钦峰;黄俊岳;杨可萌;马臻;魏杰;
申请日2021-10-20
分类号H01L29/06(20060101);H01L29/78(20060101);H01L27/07(20060101);
代理机构51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙);
代理人葛启函
地址 611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号
入库时间 2023-06-19 14:01:55
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-04-04
授权
发明专利权授予
机译: 电子开关例如n沟道MOSFET,用于控制例如汽车行业的雨刷器,其抑制二极管可并联切换以防止过压,其中抑制二极管集成在外壳中
机译: MOSFET例如N沟道MOSFET,一种集成电路的制造方法,涉及在存在介电材料的情况下加热晶体管,并在晶体管加热之后在晶体管上形成接触结构。
机译: 集成肖特基二极管的垂直沟道栅极MOSFET
机译:集成有低冯单极异质结二极管的SiC沟道MOSFET
机译:具有集成肖特基势垒二极管和减小的单元节距的碳化硅分离沟槽源极VDMOSFET
机译:屏蔽沟道双栅MOSFET:一种用于可靠的纳米级CMOS应用的新型器件
机译:碳化硅MOSFET体二极管中的双极,单极和中间传导模式的物理学
机译:碳化硅锗和碳化硅合金中的硼偏析及其在p沟道MOSFET中的应用。
机译:微摩尔的4-氨基吡啶增强了脊椎动物神经分泌末端植物的侵袭:使用超快光电二极管-MOSFET摄像机和光电二极管阵列对动作电位的传播进行光学记录
机译:硅锗(SiGe)衬底上带有应变硅(s-Si)沟道的短沟道双材料栅极(DMG)MOSFET阈值电压的分析模型
机译:集成低噪声掩埋沟道mOsFET前置放大器技术。