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李立均;
电子科技大学;
碳化硅; 槽栅; MOSFET器件; 设计;
机译:背栅偏置应力对极薄SoI(ETSoI)MOSFET器件特性的影响
机译:氧沉积后退火提高了TDDB的可靠性和HfO_2高k /金属栅MOSFET器件的特性
机译:4H和6H碳化硅(SiC)中MOSFET器件特性的温度依赖性
机译:快速热CVD高k栅极电介质和CVD金属栅电极的技术开发和研究,用于未来的ULSI MOSFET器件集成:氧化锆和氧化ha。
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:绝缘硅MOSFET器件特性改善的研究
机译:风洞研究施工方法,设计细节和冠层槽对小型全柔性原型空气动力学特性的影响
机译:碳化硅静电感应晶体管的常关型掩埋栅型设计方法,制造方法及常闭型掩埋栅型碳化硅静置晶体管
机译:用于MOSFET器件可靠性研究的环形振荡器设计及其用于在线监测
机译:沟槽栅型VDMOSFET器件,栅绝缘层部分较厚,用于减小栅源电容
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