一种硫硒化亚锡纳米片/GaAs异质结光电二极管及其制备方法和应用

摘要

本发明属于混维光电二极管技术领域，公开了一种基于硫硒化亚锡纳米片/GaAs异质结的光电二极管及其制备方法和应用。所述光电二极管的结构为硫硒化亚锡纳米片/GaAs异质结，分别在硫硒化亚锡纳米片和GaAs上蒸镀Au电极，在保护气体中150～250℃进行退火处理制得。所述异质结是将硫硒化亚锡纳米片转移至GaAs窗口上形成，所述GaAs窗口是在GaAs上沉积介质层薄膜，经光刻和刻蚀液刻蚀介质层得到。本发明的异质结的光电二极管具有明显的整流行为，并在400‑1200nm宽谱波段具有优异的自驱动光响应性能和波长选择偏振探测特性，可用于光伏器件和偏振红外成像设备领域中。