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在晶片的正面上沉积外延层的方法和实施该方法的装置

摘要

用于在具有取向切口的晶片的正面上沉积外延层的装置,包括用于保持并使具有基座支撑轴和基座支撑臂的基座旋转的机构;和由基座支撑臂保持并具有向内指向的突起部的环;以及包括基座环的基座,所述基座环具有用于在晶片的背面的边缘区域中支撑晶片的支撑面和与该支撑面相邻的基座环的台阶状外边界,支撑面具有向内指向的突起部。

著录项

  • 公开/公告号CN113950541A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 硅电子股份公司;

    申请/专利号CN202080039437.X

  • 申请日2020-04-29

  • 分类号C23C16/458(20060101);C30B25/12(20060101);

  • 代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人彭丽丹;过晓东

  • 地址 德国慕尼黑

  • 入库时间 2023-06-19 13:55:46

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