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公开/公告号CN112011826A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-01
原文格式PDF
申请/专利权人 硅电子股份公司;
申请/专利号CN202010468199.6
发明设计人 J·哈贝雷希特;S·海因里希;R·绍尔;R·施泰因;
申请日2020-05-28
分类号C30B25/12(20060101);C23C16/458(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人刘佳斐
地址 德国慕尼黑
入库时间 2023-06-19 09:04:30
机译: 晶片平坦度评估方法及实施该评估方法的装置;使用评估方法的晶圆生产方法,使用评估方法的晶圆质量保证方法,使用评估方法的半导体器件生产方法以及使用评估方法评估的晶圆的半导体器件生产方法
机译: 在半导体晶片的正面上沉积外延层的方法和实施该方法的装置
机译:硅基IC和Ⅲ-V外延层的晶圆级单片混合集成-有源矩阵微型LED微显示器的大规模生产方法
机译:晶圆抛光用浆料的再循环方法和再循环装置已获得专利
机译:晶圆凸点工艺中固有应力测量的测试方法及装置
机译:去除金刚石线锯晶圆表面上非晶硅的新型变形方法
机译:用于晶圆上应用的平面太赫兹无源器件及其耦合方法的研究。
机译:晶圆表面上负电荷突变的单克隆抗体液相分离的减轻
机译:用于半导体晶圆分析的全晶圆宏观检测软件方法的开发