一种晶圆级芯片的加工工艺方法及晶圆结构

摘要

本发明公开一种晶圆级芯片的加工工艺方法及晶圆结构，在晶圆的正面嵌入芯片，相邻芯片之间设置有划片槽，在晶圆背面与单颗芯片对应的划片槽区域上形成凸出的图形结构，图形结构包括晶圆外围边缘的环形结构和与单颗芯片对应的支撑结构；将所得凸出图形结构进行电镀形成金属层，至此再将整个腐蚀减薄后的晶圆背面填充树脂进行晶圆级塑封，以便在金属层外部形成塑封层；研磨塑封后的晶圆，并研磨至指定的晶圆厚度；研磨至指定厚度后，采用划片工艺将晶圆切割成单颗的芯片，再进行后续的封装。本发明解决了现有超薄芯片减薄后的封装问题，在降低单颗芯片有效区域厚度的同时采用四边保护的方法，即达到有益效果又增强整体的封装结构。