一种复合结构的垂直氧化镓异质结二极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种复合结构垂直氧化镓异质结二极管，主要解决现有氧化镓导热性差、击穿电压高，且与低电阻不可兼得的问题。其自下而上包括阴极电极、n‑Ga2O3衬底层、n‑Ga2O3外延层、边缘终端、p‑NiOx低掺层、p‑NiOx高掺层、阳极电极、场板介质和场板金属。该n‑Ga2O3衬底层减薄至原来的二分之一厚度；该p‑NiOx低掺层的掺杂浓度为1×1017cm‑3‑9×1018cm‑3，厚度为200nm‑400nm；该p‑NiOx高掺层的掺杂浓度1×1019cm‑3‑9×1019cm‑3，厚度为100nm‑200nm。本发明提高了击穿电压，减小了反向漏电，提升了开关比，可用于制备大功率集成电路。