基于束缚电荷增强2DEG的氧化镓异质结结构和异质结器件

摘要

本发明涉及一种基于束缚电荷增强2DEG的氧化镓异质结结构和异质结器件，该异质结结构包括：自下而上依次层叠设置的Ga2O3层、第一半导体层和第二半导体层，其中，第一半导体层的禁带宽度大于Ga2O3层的禁带宽度；第二半导体层的介电常数小于第一半导体层的介电常数。本发明的基于束缚电荷增强2DEG的氧化镓异质结结构，将低介电常数的半导体材料与AlN/Ga2O3异质结结构结合，通过在低介电常数的半导体材料上施加正向电场来产生束缚电荷和AlN的极化电荷联合，从而诱导AlN/Ga2O3异质结界面的二维电子气浓度增大。