一种化学放大型正性紫外光刻胶及其制备与使用方法

摘要

本发明涉及一种化学放大型正性紫外光刻胶及其制备与使用方法，所述光刻胶包括如下质量百分比的各组分：聚对羟基苯乙烯类聚合物树脂25～45％；光致产酸剂0.5～1.5％；酸猝灭剂0.1～0.2％；交联剂2～4％；流平剂0.1～0.5％；溶剂48.8～72.3％。制备方法包括以下步骤：按化学放大型正性紫外光刻胶的各组分混合。使用方法包括以下步骤：将化学放大型正性紫外光刻胶涂布在硅片上，依次经过前烘、曝光、后烘和显影。本发明解决光刻胶开裂的问题，尤其正性厚膜(10～30μm)光刻胶的开裂问题，适合集成电路后段钝化层或高能注入工艺，扩大应用范围。