晶圆表面电荷量的检测方法和检测装置

摘要

本申请涉及晶圆表面电荷量的检测方法和检测装置。该方法包括：对晶圆的形成有第一介质层的一侧进行离子注入；在晶圆的该一侧上沉积第二介质层，并测量沉积速率；以及基于沉积速率检测晶圆的该一侧表面的电荷量。该方法可以原位地监测晶圆表面的电荷量，无需待器件形成后再通过晶圆可接受性测试来反映由于离子注入而导致的累积电荷，时效性强。