一种检测离子注入之后晶圆表面残留电荷量的方法

摘要

本发明提供一种检测离子注入之后晶圆表面残留电荷量的方法，所述方法包括：提供晶圆；在所述晶圆表面形成介质层；对所述形成有介质层的晶圆执行离子注入；刻蚀所述介质层，并测量刻蚀速率；根据所述刻蚀速率反映晶圆表面的电荷量。与现有工艺相比，本发明提出的检测离子注入之后晶圆表面残留电荷量的方法，能够更有效地监控晶圆表面的电荷量，且时效性强，从而降低了产品的缺陷率。