公开/公告号CN101741540B
专利类型发明专利
公开/公告日2013-03-27
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;
申请/专利号CN200810227487.1
申请日2008-11-26
分类号H04L7/033(20060101);H04L7/00(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人周国城
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2022-08-23 09:13:25
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-03-27
授权
授权
2010-09-01
实质审查的生效 IPC(主分类):H04L 7/033 申请日:20081126
实质审查的生效
2010-06-16
公开
公开
机译: 用于集成电路的CMOS分压器-具有一个MOS晶体管链,该晶体管为互补晶体管链产生栅极-源极偏置电压
机译: 图像传感器控制装置,例如数码相机,具有偏置电路,当光电二极管朝节点放电时,偏置电路包括将晶体管的源极连接到充电电压的开关,以增加晶体管的源极电位
机译: 具有牺牲性金属间隔物的CMOS集成电路,用于产生与PMOS源极/漏极结不同的渐变NMOS源极/漏极结