具有多个阈值电压和有源阱偏置能力的CMOS绝缘体上极薄硅的改进型结构

摘要

一种结构包括具有第一导电类型的半导体衬底（1）；设置于顶表面上方的绝缘层（2）；设置于所述绝缘层（2）上方的薄半导体层（3）以及设置于所述半导体层（3）上方的多个晶体管器件（10a-b）。在相邻晶体管器件之间形成的隔离区（6），延伸通过所述半导体层（3）中一定深度，所述深度足以将相邻晶体管器件彼此电隔离。在选择的相邻晶体管器件之间形成额外的隔离区（7a-d），延伸通过硅层（3）和绝缘层（2），进入衬底（1）中，从而形成电隔离的第一和第二阱区（4a-d）。第一导电类型的背栅极区域（接触）（9a-c）整个设置于晶体管器件（10）之一下方的阱区（4）之内并电浮置于阱区（4）之内。在工作期间，可以利用施加到阱区（4a-d）的偏置电势通过泄漏和电容耦合，单个地偏置背栅极区域（9a-c）。