机译:纳米晶体管的物理学:栅极电压和表面电位,移动电子电荷在金属氧化物半导体的大规模结构中,在绝缘体上的极薄硅
机译:从金属-绝缘体-半导体结构的电压电容特性无模型确定半导体表面电势上累积和反转半导体层中电荷密度的依赖性
机译:绝缘硅上金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压的背栅电压依赖性分析及其在Si单电子晶体管中的应用
机译:超高压高侧薄层绝缘体上硅p沟道低密度金属氧化物半导体的击穿机理分析
机译:基于MIS结构耗尽区电压容量分析的表面电荷密度与半导体表面电势相关性确定的新方法
机译:具有实验证实的6H-碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的表面物理建模和评估。
机译:具有垂直栅极结构的新型GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管
机译:极薄的绝缘体上硅mOsFET的原子级建模,包括二氧化硅:电子结构