基于圆柱型超结区的复杂超结半导体器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于圆柱型超结区的复杂超结半导体器件及其制备方法，器件包括从下到上依次设置的漏极金属层、N+衬底区、N型第一缓冲层、N型第二缓冲层、N型外延层；若干P型柱区，间隔设置在N型外延层内；若干P+体区，分别设置在每个P型柱区的上方，其中，每个P+体区内设置有两个N+接触区、一P+接触区，P+接触区设置在两个N+接触区之间；介电层，设置在N型外延层上方且部分覆盖P+体区；栅极，设置在介电层内且临近N+接触区；源极金属层，设置在介电层、N+接触区和P+接触区上。本发明在器件内增加了两层缓冲层，通过控制两层缓冲层的掺杂浓度，从而形成软恢复波形，进而可以减小反向恢复电流和反向恢复时间以获得高速开关和降低损耗。