公开/公告号CN203659877U
专利类型实用新型
公开/公告日2014-06-18
原文格式PDF
申请/专利权人 英飞凌科技奥地利有限公司;
申请/专利号CN201320675262.9
申请日2013-10-30
分类号
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人马丽娜
地址 奥地利菲拉赫
入库时间 2022-08-22 00:09:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-06-18
授权
授权
机译: 超结器件和包括该超结器件的半导体结构
机译: 超结器件和包括该超结器件的半导体结构
机译: 具有柱状超结区和电极结构的超结半导体器件