超结VDMOS器件的研究及最新进展

摘要

超结VDMOS打破了传统多子器件的“硅限”,是功率半导体器件发展史上的里程碑式的结构.本文介绍了超结理论的提出及发展,分析了超结VDMOS器件结构如常规超结VDMOS器件、半超结VDMOS器件、具有肖特基接触结构的超结VDMOS、氧化层旁路VDMOS、浮岛型VDMOS等的研究进展，并进一步研究了超结结构VDMOS的制备工艺。