基于碳化硅平面型MOS结构的PIN二极管

摘要

本发明涉及一种基于碳化硅平面型MOS结构的PIN二极管。其包括半导体衬底，在所述半导体衬底上设置P型阱区、N型阱区以及低掺杂本征半导体区，P型阱区通过低掺杂本征半导体区与N型阱区间隔，低掺杂本征半导体区分别与P型阱区、N型阱区邻接；还包括正极区结构、负极区结构以及分裂栅区结构，正极区结构与与P型阱区适配连接，负极区结构与N型阱区适配，分裂栅区结构位于正极区结构与负极区结构之间；本发明能有效地降低PIN二极管的开关损耗，提高PIN二极管的开关速度，还可以实现碳化硅PIN二极管的自修复，进而提高PIN二极管的电学性能。